Отказ от десятого поколения и шаг к 400 слоям
На прошедшем вебинаре по технологиям и продуктам Micron объявила о решении перескочить поколение G10 и перейти сразу к G11. Подобные шаги в микроэлектронике встречались и ранее: например, Kioxia и SanDisk в свое время перешли с BiCS6 сразу на BiCS8. Однако у Micron за изменением названия стоит значительный технический скачок.
В предыдущей серии G9, которая используется в накопителях вроде Crucial P510, насчитывалось 276 слоев. В архитектуре G11 количество слоев превысит 400, что означает рост минимум на 45%. В сочетании с уменьшенным расстоянием между ячейками это позволит примерно вдвое увеличить плотность хранения информации по сравнению с прошлым поколением. По оценкам экспертов, плотность TLC-памяти может вырасти примерно с 21 до 42 Гбит/мм², хотя официальные параметры плотности зависят от типа используемых ячеек.
Новая компоновка и прирост скорости
Главным технологическим новшеством G11 станет применение метода Wafer-on-Wafer Bonding. При таком подходе массив запоминающих ячеек и логика ввода-вывода изготавливаются на разных кремниевых пластинах и соединяются вместе на финальном этапе. Ранее аналогичную схему уже начали использовать YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung. По мере того как конкуренты развивают производство — а SK Hynix ведет переговоры с США по локализации фабрик, — Micron адаптирует компоновку для сохранения конкурентоспособности. Параллельно с новыми методами производства другие компании форсируют архитектурные изменения памяти.
Скорость интерфейса G11 вырастет почти на 50% по сравнению с G9: с 3,6 Гбит/с до примерно 5,4 Гбит/с. По этому показателю память опередит BiCS10 (4,8 Гбит/с), но останется чуть позади анонсированной Samsung V10 (5,6 Гбит/с). Кроме того, энергопотребление при передаче одного бита снизится более чем на 25%.
Характеристики Micron G11 NAND
| Параметр | Micron G9 NAND | Micron G11 NAND |
|---|---|---|
| Количество слоев | 276 | 400+ |
| Плотность записи | ~21 Гбит/мм² (TLC) | ~2x к G9 (оценка ~42 Гбит/мм²) |
| Скорость интерфейса | 3,6 Гбит/с | До ~5,4 Гбит/с (+50%) |
| Энергоэффективность | Базовая | Снижение энергозатрат >25% |
| Технология сборки | Стандартная | Wafer-on-Wafer Bonding |
| Начало производства | Выпускается | Вторая половина 2027 года |
Перспективы и массовое производство
Запуск массового производства Micron G11 намечен на второе полугодие 2027 года. Это означает, что пользовательские SSD с такой памятью появятся на рынке еще позже.
В планах компании уже намечены следующие шаги, хотя G12 пока не упоминается. В перспективе планируется использовать архитектуру Ultra Dense с уменьшенным шагом ячеек и заменить традиционные каналы из поликремния на материалы с более высокой подвижностью электронов.
Что это значит для вас
Продажи устройств на базе Micron G11 в России в источниках не уточняются.
В ближайшие пару лет ждать появления бытовых твердотельных накопителей на базе 400-слойной памяти не стоит: производство стартует только во второй половине 2027 года. Непосредственно обновлять систему сейчас ради ожидания этой технологии нет смысла. При планировании апгрейда ориентируйтесь на текущие решения Gen4 и Gen5 SSD, так как эффект от перехода на Micron G11 скажется на потребительском рынке ближе к 2028 году.
