Компания NVIDIA инициировала масштабную перестройку цепочки поставок памяти высокой пропускной способности. Для следующего поколения графических процессоров на архитектуре Feyman чипмейкер готовит заказную память NVHBM. Чтобы гарантировать абсолютную идентичность характеристик независимо от поставщика, NVIDIA потребовала от партнеров выпускать базовый кристалл (Base Die) по единому техпроцессу.
В результате Samsung Electronics и TSMC начали совместную разработку 3-нанометрового базового кристалла. Помимо Samsung, аналогичные требования предъявлены еще двум ключевым игрокам рынка — SK hynix и Micron.
Единый стандарт ради скорости внедрения
Традиционно производители памяти поставляли решения под ключ: Samsung, например, самостоятельно выпускала и кристаллы DRAM, и базовую логику. Однако разница в кремниевых основах требовала от NVIDIA раздельного и длительного тестирования модулей от каждого поставщика.
Перевод базового слоя всех трех чипмейкеров на 3-нанометровые мощности тайваньской фабрики избавит калифорнийскую компанию от лишних этапов валидации. Это решение укрепляет положение тайваньского гиганта на фоне растущего спроса на 2- и 3-нм чипы. Кроме того, от всех трех вендоров потребовали производить основные кристаллы памяти (Core Die) на базе шестого поколения техпроцесса DRAM класса 1c.
Характеристики заказной памяти NVHBM
Переход на специализированную компоновку позволит графическим процессорам NVIDIA получить существенный отрыв от конкурентов по скорости обмена данными и энергоэффективности.
| Параметр | Заказная NVHBM | Стандартная HBM4E |
|---|---|---|
| Базовый кристалл (Base Die) | 3 нм (TSMC) | Собственные нормы вендоров |
| Кристаллы памяти (Core Die) | DRAM 6-го поколения (1c) | Решения вендоров |
| Пропускная способность | До +30% к уровню HBM4E | Базовый уровень |
| Энергопотребление | Снижено до 15% относительно HBM4E | Базовый уровень |
Компромисс со стороны Samsung
Для Samsung согласие передать выпуск ключевого логического слоя главному конкуренту в лице TSMC стало беспрецедентным шагом. В стандартных линейках HBM корейский гигант сохранит полностью собственное производство, а также продолжит оценивать мощности своих контрактных фабрик на случай, если линии TSMC не справятся с объемами заказов.
Участие в проекте жизненно важно для корейской корпорации. Высокомаржинальные поставки чипов памяти рассматриваются как главный фактор оздоровления полупроводникового бизнеса. Согласно отраслевым оценкам, убытки контрактного подразделения Samsung могут сократиться на 41%: с 6,74 трлн вон (ориентировочно $5,1 млрд) в 2025 году до 3,92 трлн вон (ориентировочно $2,95 млрд) в 2026 году. В условиях, когда аналитики предупреждают об усилении дефицита памяти HBM, потеря статуса ключевого поставщика NVIDIA нанесла бы компании серьезный урон.
Что это значит для вас
Поскольку графические процессоры архитектуры Feyman и память NVHBM создаются исключительно для серверных ускорителей и центров обработки данных, потребительские видеокарты GeForce эту память не получат, а официальных поставок оборудования в Россию не планируется.
Однако эта новость важна для всего рынка комплектующих. Полная загрузка передовых 3-нм линий TSMC и линий DRAM 1c заказами для корпоративного сегмента NVIDIA неизбежно усилит дефицит кремниевых пластин. Если вы планируете масштабный апгрейд игрового ПК или покупку скоростной оперативной памяти стандарта DDR5, откладывать приобретение не стоит: приоритет контрактных фабрик смещается в пользу ИИ-индустрии, что может подтолкнуть розничные цены вверх.
